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  單電極芯片在封裝行業對固晶的要求非常高，例如在LED生產過程中，固晶品質的好壞影響著LED成品的品質。造成LED固晶破裂的因素有很多，我們僅從材料、機器、人為三方面因素，探討LED固晶破裂的解決方法。

一、芯片材料本身破裂現象

芯片破損大于單邊芯片寬度的1/5或破損處于斜角時，各單邊長大于2/5芯片或破損到鋁墊，此類芯片都不可接受（這個是芯片檢驗標準中的一個專案）。產生不良現象的原因主要有：

1.芯片廠商作業不當

2.芯片來料檢驗未抽檢到

3.線上作業時未挑出

解決方法：

1.通知芯片廠商加以改善

2加強進料檢驗，破損比例過多的芯片拒收。

3.線上作業Q檢時，破損芯片應挑出，再補上好的芯片。

二、LED固晶機器使用不當

1、機臺吸固參數不當

機臺的吸嘴高度和固晶高度直接受機臺電腦內參數控制。參數大，吸固高度??；參數小，吸固高度大，而芯片的破損與否，直接受機臺吸固高度參數影響。產生不良現象的原因主要是：機臺參數大，呼固高度低，芯片受力過大，導致芯片破損。

解決方法：

調整機臺參數，適當提高警惕吸嘴高度或固晶高度，在機臺“SETUP”模式中的“Bond head menu”內的第一項“Pick Level”調節吸嘴高度，再在第二項“Bond Level”調節固晶高度。

倒裝芯片（Flip chip）起源于60年代，由IBM率先研發出，開始應用于IC及部分半導體產品的應用，具體原理是在I/Opad上沉積錫鉛球，然后將芯片翻轉加熱利用熔融的錫鉛球與陶瓷板相結合，此技術已替換常規的打線接合，逐漸成為未來封裝潮流。
　　Philips Lumileds于2006年首次將倒裝工藝引入LED領域，其后倒裝共晶技術不斷發展，并且向芯片級封裝滲透，產生了免封裝的概念。
　　小知識：
　　正裝芯片：最早出現的芯片結構，也是小功率芯片中普遍使用的芯片結構。該結構，電極在上方，從上至下材料為:P-GaN、發光層、N-GaN、襯底。所以，相對倒裝來說就是正裝;
　　倒裝芯片：為了避免正裝芯片中因電極擠占發光面積從而影響發光效率，芯片研發人員設計了倒裝結構，即把正裝芯片倒置，使發光層激發出的光直接從電極的另一面發出(襯底最終被剝去，芯片材料是透明的)，同時，針對倒裝設計出方便LED封裝廠焊線的結構，從而，整個芯片稱為倒裝芯片(Flip Chip)，該結構目前在大功率芯片較多用到。